| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 通用MOSFET |
| 型号编码 | RF4E070BNTRn: 0 |
| 说明 | 通用MOSFET HUML |
| 起订量 | 3 |
| 最小包 | 3 |
| 现货 | 400 [库存更新时间：2024-05-14] |
| FET类型 | N-Channel |
| 连续漏极电流Id | 7A(Ta) |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 8.9nC @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 410pF @ 15V |
| 栅极电压Vgs | ±20V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2W(Ta) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 28.6m Ohms@7A,10V |
| 工作温度 | 150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | HUML |
| 漏源极电压Vds | 30V |
| 连续漏极电流Id | 7A |
IC普拉斯 元器件现货
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